图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBT2369(A)LT1 |
| 文档 |
Copper Wire 08/Jun/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 10mA, 350mV |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 15 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 A |
| 最小直流电流增益 | 40@10mA@1V|20@100mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@1mA@10mA V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 4.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 15 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 10mA, 350mV |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Switching |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
| 身高 | 1.11mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.6 V dc |
| 最大基地发射极电压 | 4.5 V dc |
| 最大工作频率 | 1 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 宽度 | 2.64mm |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 4.5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 at 10 mA at 1 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 200 mA |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 10mA, 350mV |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 系列 | MMBT2369L |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
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